Главная
Стратегия - 2030
КалмГУ - опорный региональный университет
Структура
Факультеты, институт
Общая информация
Сведения об образовательной организации
Государственная аккредитация
Лицензирование
Образовательная деятельность
Международная деятельность
Дополнительное образование
Трудоустройство
Научный журнал «Вестник Калмыцкого университета»
Студенческие объединения
Дистанционное обучение
Галерея славы
Фильмы о КалмГУ
КалмГУ против терроризма и экстремизма
ВЫПУСКНИКИ КАЛМГУ
Статистика
Сведения (архив)

 

     Наука и инновации                                                                                             

Гранты и конкурсы

Победитель Открытых международных студенческих Интернет-олимпиад 2014

 

09.03.2011 17:55
Содержание
Кафедра экспериментальной и общей физики
Сотрудники кафедры
Все страницы

 

Кафедра экспериментальной и общей физики

 

Адрес: 358011, Республика Калмыкия, г. Элиста, 5 микрорайон, 3-й корпус ФГБОУ ВО "Калмыцкий государственный университет
им. Б.Б. Городовикова", каб. № 216
 
Телефон: 8 (84722) 3-89-92; 8 (84722) 3-90-11
 
   Кафедра создана в 2004 году путем слияния кафедр экспериментальной и общей физики, которые были образованы в 1997 г. на базе кафедры общей физики, существовавшей с 1972 г. Таким образом, кафедра экспериментальной и общей физики генетически связана с кафедрой общей физики, организованной в начале 70-х годов путем разделения кафедры физики (единственной в то время физической кафедры университета) на кафедры общей и теоретической и экспериментальной физики. В 1997 г. кафедра общей физики была разделена на две кафедры – кафедру экспериментальной физики (заведующий доц. Батырев А.С.) и кафедру общей физики (заведующий проф. Кулиш У.М.). Эти кафедры просуществовали до лета 2004 г., когда они были упразднены с образованием новой кафедры - кафедры экспериментальной и общей физики. С момента создания и по сей день руководство этой кафедрой осуществляет доцент, кандидат физико-математических наук Батырев Александр Сергеевич.
   Кафедра является выпускающей по направлению «Химия, физика и механика материалов». Она обеспечивает преподавание общей физики студентам всех направлений и специальностей естественно-научного и инженерно-технического профилей реализуемых в КалмГУ.

Шифр

Специальность/

Направление

Специализация/

профиль

Квалификация

04.03.02

Химия, физика и механика материалов

Методы исследования материалов

Бакалавр материаловедения

 

За кафедрой закреплены  следующие основные и специальные дисциплины:

  • Введение в физику твердого тела
  • История и методология физики
  • Методика преподавания физики
  • Общая физика: Механика
  • Общая физика: Молекулярная физика
  • Общая физика: Электричество и магнетизм
  • Общая физика: Оптика
  • Общая физика: Физика атома и атомных явлений
  • Общая физика: Физика атомного ядра и элементарных частиц
  • Основы радиоэлектроники
  • Физика полупроводников
  • Специальный практикум по электронике
  • Методы измерения физических величин
  • Теория погрешностей эксперимента
  • Классическая механика и механика сплошной среды
  • Материалы - прошлое, настоящее, будущее
  • Основы оптики
  • Кристаллохимия и основы рентгеновской дифрактометрии
  • Основы спектрального анализа
  • Химическая физика твердого тела
  • Химическая термодинамика и термодинамика твердофазных реакций
  • Методы локального анализа и анализа поверхности
  • Общая физика для студентов всех естественно-научных и инженерно-технических направлений и специальностей, реализуемых в вузе.
  • Основы спектроскопии
  • Методы определения параметров полупроводниковых материалов
  • Физические основы полупроводниковых нанотехнологий
  • Физика-химия дисперсных систем и наноматериалов
  • Моделирование фазовых систем
  • Колебательная спектроскопия неорганических систем
  • Физика неупорядоченных сред
  • Двумерные структуры и сверхрешетки
  • Экспериментальные методы физики конденсированного состояния вещества
  • Физико-химия и технология материалов

Кафедра располагает следующими лабораториями:

№ ауд

Название лаборатории

 

 

210

Механика

 

211

Молекулярная физика

 

208

Оптика

 

209

Электромагнетизм

 

213

Атомной и ядерной физики

 

220

Оптические и фотоэлектрические свойства твердого тела

 

221А

Методов определения свойств параметров полупроводниковых материалов            

 

221Б

Экспериментальные методы физики конденсированного состояния вещества

 

223

Основы нанотехнологий

 

224

Основ электротехники, электроники и схемотехники

 

113

Центр нанотехнологии и наноматериалов

 

327

Основ спектрального анализа

 

104

Общего физического практикума

 

106

Общего физического практикума

 

112

Общего физического практикума

 

008

Общего физического практикума

 

002

Учебная мастерская

 

007

Мастерская по ремонту электронных приборов и оборудования

 

216

Кафедра ЭОФ

 

 

Основные направления научной работы:

  • Экситонная спектроскопия приповерхностной области кристаллов полупроводниковых соединений А2В6 и А3В5
  • Фотоэлектрическая спектроскопия полупроводников
  • Электрофизика полупроводниковых материалов и структур на их основе

Область научных интересов:

  • Методика преподавания физики
  • Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников
  • Физика поверхности полупроводниковых материалов
  • Методы исследования полупроводниковых наноматериалов

Научные связи:

  • Северо-Кавказский Федеральный университет
  • Санкт-Петербургский государственный университет
  • Южный Федеральный университет

 

 

 

Заведующий кафедрой

 

Батырев Александр Сергеевич

кандидат физико-математических наук, доцент

 

 

 

 

 

 

Адрес: 358000, Республика Калмыкия, г. Элиста, учебный корпус № 3, каб. 220

Телефон: 8 (84722) 3-89-92

E-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

Преподаваемые дисцип­лины:

  • Курс общей физики, раздел «Физика атомного ядра и элементарных частиц»

спецкурсы:

  • история и методология физики

семинар дипломников; курс общей физики на очном и заочном отделениях нефизических специальностей и направлений. 

Образование:

В 1973 г. окончил факультет теоретической и экспериментальной физики Московского инженерно-физического института с присвоением квалификации «Инженер-физик» по специальности дозиметрия и защита. Тема дипломной работы «Радиационная стойкость некоторых материалов». В 1977 - 1980 г.г. обучался в аспирантуре Ленинградского государственного университета. В 1983 г. защитил кандидатскую диссертацию по специальности «Физика твердого тела» в диссертационном Совете Ленинградского (Санкт - Петербургского) государственного университета по теме «Взаимодействие экситонов с поверхностью в кристаллах CdSe. В 1992 г. закончил докторантуру Санкт - Петербургского госуниверситета.

Общий стаж - 36 лет

Научно - педагогический стаж - 36 лет

Научные приоритеты в области оптической и фотоэлектрической спектроскопии полупроводников, включая экситонную спектроскопию поверхности и приповерхностного слоя полупроводника. Создал в КалмГУ учебно-научную лабораторию по исследованию оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов.

Основные научные результаты:

  1. Исследованы механизмы взаимодействия экситонов с поверхностью и приповерхностной областью полупроводника. Показано, что основным механизмом возмущения экситонного состояния у «реальной» поверхности полупроводника является его взаимодействие с неоднородным электрическим полем приповерхностного слоя пространственного заряда.
  2. Впервые экспериментально обнаружены и детально исследованы эффекты локализации экситонов у поверхности полупроводника, обусловленные «дефектностью» его приповерхностного слоя.
  3. Исследованы механизмы формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах непрерывного и модулированного возбуждения  фотопроводимости прямозонных полупроводников. Впервые получено прямое доказательство влияния приповерхностного изгиба энергетических зон на тонкую структуру. Предложена модель явления, учитывающая зависимость скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей от поверхностного электростатического потенциала полупроводника.
  4. Впервые обнаружен и детально исследован «аномальный» спектральный фоторезистивный эффект поля, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия.
  5. Впервые экспериментально обнаружен эффект поверхностного рассеяния неравновесных носителей в спектре фотопроводимости прямозонного полупроводника.
  6. Установлена важная роль мелких (водородоподобных) центров в формировании спектров краевой фотопроводимости полупроводника. Впервые показано, что мелкие акцепторные состояния могут определять структуру спектра фотопроводимости и фоточувствительность полупроводника не только в примесной области спектра, но также и в области экситонных и межзонных переходов.

Полученные результаты имеют важное значение для понимания механизмов формирования в полупроводниках несобственных переходных экситонных слоев и учета их в теории экситонов. Они являются существенным развитием экситонной спектроскопии полупроводников - нового раздела кристаллооптики, обладающего большими прикладными возможностями.

Имеет более 100 научных публикаций, в том числе свыше 30 статей в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах (Письма в ЖЭТФ, Физика твердого тела, Phys Stat Sol, Поверхность, Физика и  техника полупроводников, Журнал  прикладной спектроскопии, Оптика и спектроскопия, Журнал технической физики, Вестник СПбГУ (серия «Физика»)).

Основные публикации:

Статьи  и тезисы докладов в сборниках научных трудов и материалов научных конференций:

  1. Батырев А.С.и др., Локализация экситонов у поверхности полупроводников, Письма в ЖЭТФ,  т. 39, вып. 9, 1984, с. 436-438.
  2. Batyrev А.S. et al. Localization of excitons in space charge layers, Phys. Status Solidi (b), 1986,   V.135, p.p. 597-604.
  3. Батырев А.С. и др., Спектры связанных экситонов и радиационная стойкость кристаллов CdSи CdSe. ФТТ, 1992, т. 34, № 6, с. 1770-1777.
  4. Батырев А.С. и др., Влияние приповерхностного слоя на экситонные спектры наклонного отражения света кристаллов CdSе, ФТТ, 1993 т.35, № 11, с. 3099 – 3103.
  5. Батырев А.С. и др., Локализация экситонов потенциальной ямой, формируемой твердым раствором в приповерхностной области полупроводника, Письма в ЖЭТФ, 1995, вып.5, с. 397 – 402.
  6. Батырев А.С. и др.,  Формирование спектров экситонного отражения света кристаллов CdSе, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами, Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, вып.10, с. 791 – 795.
  7. Батырев А.С. и др. Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs, ФТТ 1997, т. 39, № 4, с.610-612.
  8. Батырев А.С. и др., Спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdSпри низких температурах, ФТТ, 2003г., т.45, вып. 11, с. 1961 – 1967.
  9. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Люминесценция кристаллов CdS, обусловленная приповерхностными флуктуациями потенциала, Опт. и спектр.,  2013, т.114, № 2, с. 248-252; DOI: 10.7868/S0030403413020050
  10. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Стабилизация спайка в спектрах экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами, Опт. и спектр., 2013, т.114, № 3, с. 428-431; DOI:10.7868/S0030403413030069
  11. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., «Аномальный» спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия, ФТТ, 2013, т.55, вып. 4, с. 639-644; DOI:10.1134/S1063783413040021
  12. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS,ФТП, 2013, т.47, вып. 5, с. 604-607; DOI:10.1134/S1063782613050059
  13. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Сумьянова Е.В., Индуцированная термической обработкой «примесная» краевая фотопроводимость кристаллов CdS   ЖТФ, 2013, т.83, вып. 9, с. 15-19; DOI:10.1134/S1063784213090089
  14. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Тагиров М.О.,  Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdSпри модулированном возбуждении ФТП, 2013, т.47, вып. 9, с. 1165-1168; DOI:10.1134/S10637826113090042
  15. Батырев А.С.,  Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Н Шивидов.К., Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdSЖТФ, 2013, т.83, вып. 9, с.20-23; DOI:10.1134/S1063784213090090

 



 
© 2017, Калмыцкий государственный университет
Разработка сайта: « Студия Ра », Дизайн сайта: « Рудиз » Сектор поддержки сайта КалмГУ тел.: 8(84722)4-51-05
Яндекс.Метрика